Le 10 avril, Intel a annoncé être capable de réunir cinq puces mémoires en un paquetage de 1,2 mm d'épaisseur, un nouveau CSP, pour Chip-Scale Packaging.
Cette avancée permettra de fournir des éléments de mémoire Flash (de type NOR. Les mémoires Flash de type NOR sont dotées de secteurs et cellules de grande taille, la ré-écriture de données est très rapide et elles sont dotées d'une grande vitesse d'accès aux données aléatoires), combiné avec de la SRam, de la pseudo-SRAM et dans une futur proche avec de la SDRam.
La prochaine étape pour Intel est de réduire davantage l'épaisseur de ces paquetages mémoriels en atteignant le millimètre d'épaisseur.
L'annonce faite lors de l'IDF de Tokyo a été accompagnée par une présentation de Darin Billerbeck, vice-président de la division Flash d'Intel. Il a précisé que dans les quinze dernières années, Intel avait vendu 2 milliards d'unités de mémoire Flash, dont un seul milliard au cours des 12 premières années. Les trois dernières années ont donc été très profitables à ce secteur, ce qui prouve bien l'importance que prend la mémoire Flash dans les appareils mobiles légers à l'heure actuelle.
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